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Produktbeschreibung
Transistor IRF520
Die N-Channel Power-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 60 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.Technische Daten:
- 100 Volt
- 9.2 Ampere
- ca 60 Watt
- Casing TO-220
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