Transistor MOSFET IRF-520

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Art.Nr.: 22178
HAN: IRF-520
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Produktbeschreibung

Transistor IRF520

Die N-Channel  Power-MOSFETs der dritten Generation bieten dem Entwickler die beste Kombination aus schnellem Schalten, robustem Gerätedesign, niedrigem On-Widerstand und Kosteneffizienz. Das TO-220AB-Gehäuse wird allgemein für alle kommerziell-industriellen Anwendungen bei Verlustleistungen bis ca. 60 W bevorzugt. Der niedrige Wärmewiderstand und die niedrigen Gehäusekosten des TO-220AB tragen zu seiner breiten Akzeptanz in der Industrie bei.

Technische Daten:

  • 100 Volt
  • 9.2 Ampere
  • ca 60 Watt
  • Casing TO-220

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